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1-3 Kupferleiterrahmen
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PLAUX-VPC-500T

Unter Berücksichtigung von Leistungs- und Kostenbetrachtungen verwendet die mikroelektronische Verpackung gegenwärtig Kupferlegierungsmaterialien mit guter Wärmeleitfähigkeit, Leitfähigkeit und Verarbeitbarkeit als Leiterrahmen. Kupferoxide und andere organische Verunreinigungen können zu Delaminierung des Dichtungsformteils und des Kupferleitungsrahmens führen, was zu schlechter Dichtungsleistung und chronischem Gasversickern nach der Einkapselung sowie zu einer Beeinträchtigung der Chip-Bonding- und Drahtbondqualität führt. Nach der Plasmabehandlung des Kupferleiterrahmens können organische und Oxidschichten entfernt werden, während die Oberfläche aktiviert und aufgerauht wird, um die Zuverlässigkeit des Drahtbondens und der Verpackung sicherzustellen.

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Größe des Anschlussrahmens: 238 mm × 70 mm Vor dem Plasma: 92,49 ° Nach Plasma: 37,5 °

Kupferleiterrahmen vor und nach Plasma Reinigung Wassertropfen Winkel Kontrast

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